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引線框架及其製造

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引線框架及其製造

釋出日期₪▩··▩:2017-04-05 11:31 來源₪▩··▩:http://www.hnqslxs.com 點選₪▩··▩:

  提供一種引線框架及其製造方法☁▩•◕╃。以提高可焊性✘◕,焊線連線強度✘◕,半導體封裝中與樹脂的粘接力和對Pd鍍層的保護作用☁▩•◕╃。

  

  用按本發明的引線框架製造方法能實現上述目的✘◕,方法包括金屬襯底上用鎳(Ni)Ni合金形成保護層;保護層上用鈀(Pd)Pd合金形成中間層;中間層表面上用Pd(Au)交替電鍍至少一次✘◕,形成含PdAu顆粒的Z外層☁▩•◕╃。

  

  Z好是交替電鍍形成Z外層✘◕,無論PdAu均能首先鍍在電間層上☁▩•◕╃。

  

  Z外鍍層的形成中✘◕,用脈衝電流在中間層的核心位置上首先大致地鍍Pd✘◕,之後再聚積金以填充聚積的Pd顆粒之間的空隙☁▩•◕╃。由於Au的澱積勢能小於Pd的澱積勢能☁▩•◕╃。因此✘◕,在Pd顆粒之間容易聚積Au顆粒☁▩•◕╃。

  

  按本發明的另一方案✘◕,提供一種用於半導體封裝的引線框架✘◕,包括金屬襯底上用NiNi合金形成的保護層;保護層上用Pd形成的中間層;Pd中間層上用PdAu的形成的Z外層☁▩•◕╃。

  

  另一實施例中✘◕,本發明提供用於半導體封裝的引線框架✘◕,包括金屬襯底上用NiNi合金形成的保護層;保護層上用鈀(Pd)和金(Au)形成的Z外層☁▩•◕╃。

  

  PdPd合金的中間層和AuAu合金的電鍍區的形成中✘◕,加高脈衝電流✘◕,用濺射或氣相澱積法☁▩•◕╃。

  

  透過結合附圖對Z佳實施例的詳細說明✘◕,便能更好理解本發明的上述發明目的和優點☁▩•◕╃。

  

  普通引線框架的平面圖;圖2是半導體封裝的部分分解透檢視;圖34是常規引線框架的例項的截面圖;圖5是按本發明的引線框架的實施例的截面圖;圖6是按本發明的引線框架的另一實施例的截面圖;圖7是按本發明的引線框架的另一實施例的截面圖;圖8是圖7所示引線框架的區域性放大的透檢視;圖9A9C是說明按本發明的引線框架製造的截面圖;圖10是表示按本發明的引線框架的與樹脂的粘接力和對比例的與樹脂粘接力的曲線圖;圖11是表示按本發明的引線框架的可焊性和對比例的引線框架的可焊性曲線圖☁▩•◕╃。

  

  所示的用於半導體封裝的引線框架實施例✘◕,引線框架包括用銅(Cu)✘◕,銅合金或鐵-(Fe-Ni)合金構成的金屬襯底31✘◕,金屬襯底31上用NiNi合金形成的保護層32☁▩•◕╃。保護層32上用鈀(Pd)Pd合金形成的中間層33和在中間層33上形成的包含PdAu顆粒的Z外層34☁▩•◕╃。

  

  出按本發明的引線框架的另一實施例☁▩•◕╃。圖6中的引線框架40包括依次疊置於金屬襯底上41上用NiNi合金形成的保護層42和Z外層43☁▩•◕╃。Z外層43中存在如圖5所示引線框架中存在的PdAu顆粒☁▩•◕╃。


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