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引線框架在高溫中實驗

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引線框架在高溫中實驗

釋出日期₪☁₪◕•:2017-04-06 16:04 來源₪☁₪◕•:http://www.hnqslxs.com 點選₪☁₪◕•:

引線框架250℃烘烤5分鐘並在270℃處理1小時╃☁✘✘☁,進行可焊性試驗✘✘·。引線框架的引線折彎之後╃☁✘✘☁,引線框架放在175℃下處理1小時╃☁✘✘☁,隨後在95℃的蒸汽中老化8小時✘✘·。用直徑為1mil的金絲進行焊線連線試驗✘✘·。給安裝在焊盤上的晶片和給內引線加焊接功率90毫瓦(MW)和焊接力100毫牛頓(MN)✘✘·。給焊盤上的晶片和內引線分別用的焊接時間為15毫秒(Msec)20毫秒(Msec)✘✘·。之後╃☁✘✘☁,測試跨接在晶片和內引線上的金絲的張力✘✘·。

  

  可焊性和焊線連線試驗的結果列於表1中✘✘·。

  

  1從表1可看出╃☁✘✘☁,按本發明的引線框架的可焊性和焊線連線強度均提高了✘✘·。

  

  2按本發明的引線框架╃☁✘✘☁,形成厚度為02亳英寸的Pd中間層✘✘·。在厚02毫英寸的Pd中間層上形成含PdAu的Z外層✘✘·。製成有在厚08毫英寸的Pd中間層上有AuZ外層的引線框架作為對比例1╃☁✘✘☁,製成有在厚02毫英寸的Pd鍍層上無Z外層的引線框架作為對比例2✘✘·。

  

  引線框架在360℃烘烤1分鐘╃☁✘✘☁,進行可焊性試驗✘✘·。用直徑為1mil(密耳)的金絲進行焊線連線試驗✘✘·。給安裝在焊盤上的晶片和給內引線加焊接功率90mW和焊接力100mN✘✘·。焊盤上的晶片和內引線的焊接時間分別為15msec20msec✘✘·。之後╃☁✘✘☁,測試跨接在晶片和內引線上的Au絲的張力✘✘·。

  

  按本發明的引線框架的可焊性和焊線的連線強度均提高了✘✘·。

製成的引線框架測試Z外層與樹脂之間的粘接力✘✘·。用兩種市售的可熱固化的樹脂(SL7300T16BC)模塑引線框架✘✘·。Pd中間層上有Pd-AuZ外層的引線框架╃☁✘✘☁,對兩種樹脂而言╃☁✘✘☁,其Z外層與樹脂之間的粘接力Z大✘✘·。

 

按本發明的引線框架╃☁✘✘☁,在Cu製成的金屬襯底上形成30微英寸厚的Ni保護層✘✘·。並在Ni保護層上形成08微英寸厚的Pd中間層✘✘·。接著╃☁✘✘☁,形成003微英寸厚的分散在Pd中間層上的用AuAu合金形成的電鍍區✘✘·。

  

  在普通的PPF引線框架上用AuAu合金形成厚03微英寸的電鍍區作對比例1✘✘·。製成有30微英寸厚的Ni保護層和10微英寸厚的Pd中間層而沒有電鍍區的引線框架作對比例2✘✘·。

  

  引線框架在爐內在275℃下處理1小時╃☁✘✘☁,而進行可焊性試驗✘✘·。引線框架的引線折彎之後╃☁✘✘☁,引線框架放在175℃的溫度下處理2小時╃☁✘✘☁,之後╃☁✘✘☁,在蒸汽中在95℃下老化8小時✘✘·。用直徑為1mil的金絲進行焊線連線試驗✘✘·。給安裝在焊盤上的晶片和引線框架的內引線加焊接功率90mW和焊接力100mN✘✘·。焊盤上的晶片和內引線的焊接時間分別是15msec20msec╃☁✘✘☁,焊接溫度是215℃✘✘·。之後╃☁✘✘☁,測試跨接在晶片和內引線上的金絲的張力✘✘·。

  

  可焊性試驗中╃☁✘✘☁,引線架的外引線浸入R焊劑中╃☁✘✘☁,在245℃下保持5秒鐘╃☁✘✘☁,然後╃☁✘✘☁,從焊劑中取出✘✘·。用百分數表示帶有焊劑的外引線面積佔外引線總面積之量✘✘·。

  

  可焊性和焊線連線試驗的結果示於圖11中✘✘·。

  

  11中╃☁✘✘☁,剖面線表示可焊性試驗結果╃☁✘✘☁,曲線表示焊線連線試驗結果✘✘·。對比例1的可焊性和焊線連線強度分別是60%和269gf✘✘·。對比例2的可焊性和焊線連線強度分別是80%和269gf✘✘·。與對比例12的可焊性和焊線連線強度相比╃☁✘✘☁,按本發明的引線框架的可焊性和焊線連線強度均有提高╃☁✘✘☁,分別為100%和591gf✘✘·。

  

  5隨著引線框架的引線節距和晶片尺寸的減小╃☁✘✘☁,焊線用的細絲(Capillary)尺寸也減小╃☁✘✘☁,為與該趨勢保持一致╃☁✘✘☁,測試按本發明的引線框架的焊線連線強度所用的焊接功率和焊接力也減小了✘✘·。

  

  測試具有10微英寸厚的在Pd中間層上的電鍍區的按本發明的引線框架✘✘·。測試具有12微英寸厚的Pd層作雜湊層的對比例的引線框架✘✘·。用直徑為80微米的細絲和直徑為08mil的金絲進行焊線連線試驗✘✘·。

  

  60mW的焊接功率╃☁✘✘☁,60mN的焊接力在200℃下經過15msec焊接裝在引線框架的焊盤上的晶片╃☁✘✘☁,應用80mW焊接功率✘✘·。80mN的焊接力在220℃下經20msec進行引線框架的內引線上的焊接✘✘·。

  

  焊線連線試驗的結果列於表3中✘✘·。

  

  3如表3所示╃☁✘✘☁,與焊線連線強度是175gf的對比例相比╃☁✘✘☁,按本發明的引線框架的Z小連線強度提高到約3gf✘✘·。

  

  從焊線連線強度•₪•·、可焊性和與樹脂粘接性等方面看╃☁✘✘☁,按本發明的有多個電鍍層的引線框架具有AuPd鍍層的優點✘✘·。而且提高了這些效能╃☁✘✘☁,按本發明的引線框架的製造成本也能降低✘✘·。

  

  儘管用本發明的優選實施例具體展示和說明了本發明✘✘·。但是╃☁✘✘☁,本行業的普通技術人員應瞭解╃☁✘✘☁,對本發明的形式和細節上的各種改變並不能脫離由權利要求書所確定的本發明的精神和範圍✘✘·。

  

  權利要求1.一種半導體封裝的引線框架的製造方法╃☁✘✘☁,包括在金屬襯底上用鎳(Ni)Ni合金形成保護層;在保護層上用鈀(Pd)Pd合金形成中間層;用Pd和金(Au)交替電鍍中間層表面至少一次╃☁✘✘☁,形成包含PdAu顆粒的Z外層✘✘·。

  

  2.按權利要求1的方法╃☁✘✘☁,其中╃☁✘✘☁,在交替電鍍形成Z外層的步驟中╃☁✘✘☁,可以首先在中間層上電鍍PdAu✘✘·。

  

  3.一種半導體封裝的引線框架╃☁✘✘☁,包括在金屬襯底上用鎳(Ni)Ni合金形成的保護層;保護層上用鈀(Pd)形成的中間層;在Pd中間層上用PdAu形成的Z外層✘✘·。

  

  4.一種半導體封裝的引線框架╃☁✘✘☁,包括在金屬襯底上用鎳(Ni)Ni合金形成的保護層;和在保護層上用PdAu形成的Z外層✘✘·。

  

  5.一種半導體封裝的引線框架╃☁✘✘☁,包括在金屬襯底上用NiNi合金形成的保護層;在保護層上用鈀(Pd)形成的中間層;和在中間層上用金(Au)或金合金形成的電鍍區╃☁✘✘☁,中間層的表面部分露出✘✘·。

  

  6.按權利要求5的引線框架╃☁✘✘☁,其中╃☁✘✘☁,電鍍區的厚度在003微英寸之下✘✘·。

  

  7.按權利要求5的引線框架╃☁✘✘☁,其中╃☁✘✘☁,Au合金是Au-Pd合金或Au-Ag()合金✘✘·。

  

  全文摘要一種半導體封裝的引線框架及其製造方法✘✘·。引線框架的製造中╃☁✘✘☁,在金屬襯底上用鎳(Ni)Ni合金形成保護層✘✘·。之後╃☁✘✘☁,在保護層上用鈀(Pd)Pd合金形成中間層✘✘·。之後╃☁✘✘☁,在中間層表面上交替電鍍PdAu(),形成含PdAu顆粒的Z外層✘✘·。


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